关于PN结的反向击穿特性，以下说法正确的有（）
A: 一般希望PN结的击穿电压尽可能的小一些
B: 雪崩击穿电压一般比隧道击穿电压大一些
C: 温度的增加会使隧道击穿电压增大
D: 结深越大，雪崩击穿电压越小
A: 一般希望PN结的击穿电压尽可能的小一些
B: 雪崩击穿电压一般比隧道击穿电压大一些
C: 温度的增加会使隧道击穿电压增大
D: 结深越大，雪崩击穿电压越小
举一反三
- 关于PN结的反向击穿特性，以下说法正确的有 A: 一般希望PN结的击穿电压尽可能的大一些 B: 雪崩击穿电压一般比隧道击穿电压大一些 C: 隧道击穿比较常见 D: 一旦击穿，PN结就损毁了
- PN结的掺杂浓度越高，雪崩击穿电压越（）；结深越浅，雪崩击穿电压就越（）。
- 参数相同的情况下，硅PN结的雪崩击穿电压大于锗PN结的雪崩击穿电压。
- 制备了一批突变pn结，给每个pn结不断增加反偏电压的值，直到pn结击穿。有的pn结发生雪崩击穿，有的pn结发生齐纳击穿。pn结发生雪崩击穿的电压普遍高于发生齐纳击穿的电压。
- 关于PN结的雪崩击穿和齐纳击穿下面表述正确的是（） A: 在给PN结施加的反向电压由0逐步增大时，首先发生的是齐纳击穿，电压足够大时发生雪崩击穿 B: 在给PN结施加的反向电压由0逐步增大时，首先发生的是雪崩击穿，电压足够大时发生齐纳击穿 C: 发生雪崩击穿时，不发生齐纳击穿 D: 发生雪崩击穿时，齐纳击穿仍然发生