为了降低基极电阻，通常采用对非工作基区进行（ ）的掺杂。 A: 高浓度、浅结深 B: 高浓度、深结深 C: 低浓度、深结深 D: 低浓度、浅结深
为了降低基极电阻，通常采用对非工作基区进行（ ）的掺杂。 A: 高浓度、浅结深 B: 高浓度、深结深 C: 低浓度、深结深 D: 低浓度、浅结深
进行限定源扩散，在扩散40min后，测得结深是2.1μm，若要获得2.3μm的结深，还约扩散 min。（结深加深不大，可忽略表面浓度变化）（计算结果保留到个位）
进行限定源扩散，在扩散40min后，测得结深是2.1μm，若要获得2.3μm的结深，还约扩散 min。（结深加深不大，可忽略表面浓度变化）（计算结果保留到个位）
中国大学MOOC: 扩散结深的测量方法
中国大学MOOC: 扩散结深的测量方法
结深相同时，方块电阻越小，表面浓度越高。
结深相同时，方块电阻越小，表面浓度越高。
光电二极管的光谱特性与PN结的结深有关。
光电二极管的光谱特性与PN结的结深有关。
方块电阻与方块的尺寸无关，只与结深有关。
方块电阻与方块的尺寸无关，只与结深有关。
为了获得不同的结深，可以调节离子注入的参数是
为了获得不同的结深，可以调节离子注入的参数是
根据结深的计算公式,可以得出扩散过程,影响结深的因素有: A: 表面浓度与衬底浓度的比值 B: 预淀积或是再分布 C: 扩散系数 D: 时间
根据结深的计算公式,可以得出扩散过程,影响结深的因素有: A: 表面浓度与衬底浓度的比值 B: 预淀积或是再分布 C: 扩散系数 D: 时间
半导体工艺中是如何形成PN结的？什么是结深？
半导体工艺中是如何形成PN结的？什么是结深？
热扩散工艺中扩散结深通常采用（）和（）两种方法进行测量。
热扩散工艺中扩散结深通常采用（）和（）两种方法进行测量。