采取下面哪种方法能增大量子阱材料势阱中两相邻能级的间隔：
A: 增厚禁带窄材料的厚度
B: 减薄禁带窄材料的厚度
C: 增厚禁带宽材料的厚度
D: 减薄禁带宽材料的厚度
A: 增厚禁带窄材料的厚度
B: 减薄禁带窄材料的厚度
C: 增厚禁带宽材料的厚度
D: 减薄禁带宽材料的厚度
举一反三
- 在异质结双极型晶体管中，通常用（ ）。 A: 窄禁带材料制作发射区，用宽禁带材料制作基区 B: 宽禁带材料制作基区区，用窄禁带材料制作集电区 C: 窄禁带材料制作基区，用宽禁带材料制作集电区 D: 宽禁带材料制作发射区，用窄禁带材料制作基区
- 中国大学MOOC: 采取下面哪种方法能增大量子阱材料势阱中两相邻能级的间隔：
- 有关新型半导体器件，下面表述正确的是： A: 集成门极换流晶闸管简称IGCT。 B: 金属的禁带宽度比宽禁带半导体材料宽。 C: 绝缘体的禁带宽度比宽禁带半导体材料窄。 D: 半导体的禁带宽度比金属的禁带宽度窄。
- 有关新型半导体器件，表述正确的是： A: 集成门极换流晶闸管简称为IGCT。 B: 金属的禁带宽度比宽禁带半导体材料宽。 C: 绝缘体的禁带宽度比宽禁带半导体材料窄。
- 5.沥青路面结构组合设计时，一般应使结构层自上而下（ ）。 A: 强度减小，厚度减薄 B: 强度减小，厚度增大 C: 强度增大，厚度减薄 D: 强度增大，厚度增厚