在异质结双极型晶体管中，通常用（ ）。
A: 窄禁带材料制作发射区，用宽禁带材料制作基区
B: 宽禁带材料制作基区区，用窄禁带材料制作集电区
C: 窄禁带材料制作基区，用宽禁带材料制作集电区
D: 宽禁带材料制作发射区，用窄禁带材料制作基区
A: 窄禁带材料制作发射区，用宽禁带材料制作基区
B: 宽禁带材料制作基区区，用窄禁带材料制作集电区
C: 窄禁带材料制作基区，用宽禁带材料制作集电区
D: 宽禁带材料制作发射区，用窄禁带材料制作基区
举一反三
- 有关新型半导体器件，下面表述正确的是： A: 集成门极换流晶闸管简称IGCT。 B: 金属的禁带宽度比宽禁带半导体材料宽。 C: 绝缘体的禁带宽度比宽禁带半导体材料窄。 D: 半导体的禁带宽度比金属的禁带宽度窄。
- 有关新型半导体器件，表述正确的是： A: 集成门极换流晶闸管简称为IGCT。 B: 金属的禁带宽度比宽禁带半导体材料宽。 C: 绝缘体的禁带宽度比宽禁带半导体材料窄。
- 宽禁带半导体材料的禁带宽度是( )
- 较之于硅材料制作的电力电子器件，采用SiC等宽禁带半导体材料制作的电力电子器件具有明显的优势，以下描述哪一项是错误的？ A: 宽禁带半导体材料的电力电子器件具有比硅器件高得多的耐受高电压的能力 B: 宽禁带半导体材料的电力电子器件具有比硅器件更大的过流能力 C: 宽禁带半导体材料的电力电子器件具有比硅器件更快的开关速度 D: 宽禁带半导体材料的电力电子器件具有比硅器件更低的成本
- 宽禁带半导体材料是指禁带宽度在2.0eV及以上的半导体材料。（ ） A: 对 B: 错