对于单一掺杂的n型半导体，其一般的电中性条件是（）。
A: [img=90x27]18034f8bace1d87.png[/img]
B: [img=47x18]18034f8bb59a2ef.png[/img]
C: [img=53x27]18034f8bbe313d6.png[/img]
D: [img=80x27]18034f8bc634f62.png[/img]
A: [img=90x27]18034f8bace1d87.png[/img]
B: [img=47x18]18034f8bb59a2ef.png[/img]
C: [img=53x27]18034f8bbe313d6.png[/img]
D: [img=80x27]18034f8bc634f62.png[/img]
举一反三
- 已知y=f(x)是奇函数,当x≥0时,[img=62x34]17e0bf81aac3b63.png[/img],则f(-8)的值是( ) A: -8 B: -4 C: 4 D: 8
- 在下列命题中:如果f(x)=[img=28x44]17e0bf9914bb2f1.png[/img],那么[img=27x29]17e0bf97582597b.png[/img]f(x)=0;如果f(x)=[img=28x44]17e0bf992111a1c.png[/img],那么[img=27x29]17e0bf97582597b.png[/img]f(x)=0;如果f(x)=[img=55x44]17e0bf992d8de0a.png[/img],那么[img=29x29]17e0bf9939482bb.png[/img]f(x)不存在;如果f(x)=[img=87x53]17e0bf99450fa82.png[/img],那么[img=27x29]17e0bf97582597b.png[/img]f(x)=0。其中错误命题的个数是( A: 0 B: 1 C: 2 D: 3
- 设X的密度函数为f(x)，分布函数为F(x)，且f(x)是偶函数，则有 A: [img=235x53]1803b3ba8e4e24a.png[/img] B: [img=248x66]1803b3ba9822ce1.png[/img] C: F(−x)= F(x) D: F(−x)=2F(x)−1
- 可导函数f(x)，对任意的x,y恒有f(x+y)=f(x)f(y)，且f'(0)=1,则f(x)等于 A: [img=60x19]1802fb229b3bc18.png[/img] B: [img=55x46]1802fb22a3b7107.png[/img] C: [img=17x19]1802fb22abf3c5e.png[/img] D: [img=49x23]1802fb22b545827.png[/img]
- 设随机变量X的概率密度为f(x)，则f(x)一定满足( ). A: 0≤f(x)≤1 B: [img=183x53]1803b451bb3373a.png[/img] C: [img=133x51]1803b451c807078.png[/img] D: f(+∞)=1