硅导带结构为( )。
A: 位于第一布里渊区内沿方向的6个球形等能面
B: 一半位于第一布里渊区内沿方向的6个球形等能面
C: 一半位于第一布里渊区内沿方向的8个椭球等能面
D: 位于第一布里渊区内沿方向的6个椭球等能面
A: 位于第一布里渊区内沿方向的6个球形等能面
B: 一半位于第一布里渊区内沿方向的6个球形等能面
C: 一半位于第一布里渊区内沿方向的8个椭球等能面
D: 位于第一布里渊区内沿方向的6个椭球等能面
D
举一反三
- 硅导带结构为（）。 A: 位于第一布里渊区内沿<100>方向的6个球形等能面 B: 一半位于第一布里渊区内沿<111>方向的6个球形等能面 C: 一半位于第一布里渊区内沿<111>方向的8个椭球等能面 D: 位于第一布里渊区内沿<100>方向的6个椭球等能面
- 二维正方点阵的第一布里渊区的等能面
- 以下关于布里渊区边界上等能面的描述，错误的是： A: 等能面与布里渊区边界正交 B: 能带电子的平均速度垂直于布里渊区边界 C: 等能面的梯度与布里渊区边界平行 D: 等能面在垂直于布里渊区边界方向的方向导数为零
- 硅的导带极值位于方向,在简约布里渊区内共8个旋转椭球面。(<br/>)
- 不论何种电子,在布里渊区边界上,其等能面在垂直于布里渊区边界的方向上的斜率为零,即电子的等能面与布里渊区边界正交
内容
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硅晶体的导带低位于布里渊区中的什么位置?(<br/>) A: 第一布里渊区中心 B: 第一布里渊区边界上四边形中心点 C: 第一布里渊区中心六边形中心 D: 第一布里渊区中心到边界上四边形中心的连线上
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1、 任一个波矢K都可以在第一布里渊区内找到一个对应的 。
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考虑了能带论的近自由电子近似以后，以下说法错误的是？ A: 三维的正二价金属恰好能把价带以下的能带（包括价带）全部填满 B: 金属Na的费米面完全分布在第一布里渊区内，没有与布里渊区边界面相交 C: 等能面在布里渊区边界上与界面垂直相交 D: 金属Cu的费米面完全分布在第一布里渊区内，但是与布里渊区边界面相交
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Si的导带极值位于第一布里渊区内部。
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常见半导体的价带顶一般位于第一布里渊区中的哪个位置?(<br/>) A: 第一布里渊区中心 B: 第一布里渊区边界上四边形中心点 C: 第一布里渊区中心六边形中心 D: 第一布里渊区边界四边形和六边形的边界上