硅导带结构为（）。
A: 位于第一布里渊区内沿<100>方向的6个球形等能面
B: 一半位于第一布里渊区内沿<111>方向的6个球形等能面
C: 一半位于第一布里渊区内沿<111>方向的8个椭球等能面
D: 位于第一布里渊区内沿<100>方向的6个椭球等能面
A: 位于第一布里渊区内沿<100>方向的6个球形等能面
B: 一半位于第一布里渊区内沿<111>方向的6个球形等能面
C: 一半位于第一布里渊区内沿<111>方向的8个椭球等能面
D: 位于第一布里渊区内沿<100>方向的6个椭球等能面
举一反三
- 硅导带结构为( )。 A: 位于第一布里渊区内沿方向的6个球形等能面 B: 一半位于第一布里渊区内沿方向的6个球形等能面 C: 一半位于第一布里渊区内沿方向的8个椭球等能面 D: 位于第一布里渊区内沿方向的6个椭球等能面
- 二维正方点阵的第一布里渊区的等能面
- 以下关于布里渊区边界上等能面的描述，错误的是： A: 等能面与布里渊区边界正交 B: 能带电子的平均速度垂直于布里渊区边界 C: 等能面的梯度与布里渊区边界平行 D: 等能面在垂直于布里渊区边界方向的方向导数为零
- 硅的导带极值位于方向,在简约布里渊区内共8个旋转椭球面。(<br/>)
- 硅的导带极值位于（）方向的布里渊区中心到布里渊区边界的0.85倍处 A: ＜110＞ B: ＜100＞ C: ＜111＞ D: [110]