硅的导带极值位于方向,在简约布里渊区内共8个旋转椭球面。(
)
)
举一反三
- 硅导带结构为( )。 A: 位于第一布里渊区内沿方向的6个球形等能面 B: 一半位于第一布里渊区内沿方向的6个球形等能面 C: 一半位于第一布里渊区内沿方向的8个椭球等能面 D: 位于第一布里渊区内沿方向的6个椭球等能面
- 硅的导带极值位于 A: 布里渊区中心 B: <111>方向 C: <110>方向 D: <100>方向
- 硅的导带极值位于（）方向的布里渊区中心到布里渊区边界的0.85倍处 A: ＜110＞ B: ＜100＞ C: ＜111＞ D: [110]
- 硅导带结构为（）。 A: 位于第一布里渊区内沿<100>方向的6个球形等能面 B: 一半位于第一布里渊区内沿<111>方向的6个球形等能面 C: 一半位于第一布里渊区内沿<111>方向的8个椭球等能面 D: 位于第一布里渊区内沿<100>方向的6个椭球等能面
- 砷化镓的导带极值位于在布里渊区 。