中国大学MOOC:对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面从多子积累状态到多子耗尽状态的过渡状态是？
举一反三
- 对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面从多子耗尽状态到少子反型状态的过渡状态是？ A: 本征状态 B: 平坦能带状态 C: 多子积累状态 D: 深耗尽状态
- 对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面多子浓度比体内多子浓度高时，处于哪种状态？? 少子反型|多子耗尽|少子积累|多子积累
- 对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面多子浓度比体内多子浓度高时，处于哪种状态？ A: 多子积累 B: 少子积累 C: 多子耗尽 D: 少子反型
- 对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面多子浓度比体内多子浓度高时，处于哪种状态？ A: 多子积累 B: 少子积累 C: 多子耗尽 D: 少子反型
- 对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面多子浓度比体内多子浓度高时，处于哪种状态？ A: 多子积累 B: 少子积累 C: 多子耗尽 D: 少子反型