对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面从多子耗尽状态到少子反型状态的过渡状态是？
A: 本征状态
B: 平坦能带状态
C: 多子积累状态
D: 深耗尽状态
A: 本征状态
B: 平坦能带状态
C: 多子积累状态
D: 深耗尽状态
举一反三
- 理想的MIS结构在外加偏压的作用下，半导体表面可能形成的状态有？ A: 多子积累 B: 多子耗尽 C: 平坦能带 D: 本征状态 E: 少子反型 F: 少子积累 G: 少子耗尽
- 中国大学MOOC:对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面从多子积累状态到多子耗尽状态的过渡状态是？
- 对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面少子浓度比体内的多子浓度还要高时，处于哪种状态？ A: 少子反型 B: 多子积累 C: 多子耗尽 D: 本征状态
- 对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面少子浓度比体内的多子浓度还要高时，处于哪种状态？ A: 少子反型 B: 多子积累 C: 多子耗尽 D: 本征状态
- 对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面少子浓度比体内的多子浓度还要高时，处于哪种状态？ A: 少子反型 B: 多子积累 C: 多子耗尽 D: 本征状态