举一反三
- 设某增强型N沟道MOS管UGS（th）=3V，试问当它的栅源电压uGS=2.5V时，该管处于（ ）状态。
- 下面四个图形描述了绝缘栅型场效应管，当栅源电压 UGS 大于开启电压 UGS（TH），且固定为某一值时，漏源电压 ＵDS 对漏极电流 ID 的影响。下列文字描述正确的是（ ）。 e5965e0422325e1f249f6fbbb607c572.pngc4480ead269aaa8e4c1f0a6f04c6a4ca.png434b0779a63396f0c45b0562f7c6d378.png35277202530e479f10e1a04eec0f0c0b.png
- 设某增强型N沟道MOS管开启电压UGS(th)=3.6V,试问当它的栅—源电压UGS为3.62V时，该管处于（ ） A: 截止区 B: 导通状态 C: 开关状态 D: 可变电阻区
- 设某增强型N沟道MOS管UGS（th）=3V，试问当它的栅源电压uGS=3.2V时，该管处于 （ ）状态。 A: 截止 B: 导通 C: 可变电阻 D: 反向击穿
- 下面三个图形为结型场效应管栅源电压UGS取值为夹断电压UGS（off）—0之间的某一固定值时，漏极电流ID随漏源电压UDS的变化的情况。下列文字描述正确的是。 4b6af8a6ade69dc0231d2112d94c9558.pngcb38b7e906459b0da23a17b8c8f3a891.pngbebfb7f54293952ca6fcd9b2f69233bb.png
内容
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下面二图描述了N沟道增强型绝缘栅型场效应管,漏源电压UDS=0时,栅源电压UGS对导电沟道的控制作用。下列文字描述正确的是()。和 A: 左图为UDS=0，UGS比较小时，由于栅极和衬底间的电场效应，将栅极下方靠近绝缘层的P衬底中的空穴向下排斥，剩下一些不能移动的负离子，从而形成耗尽层，漏源之间形成不了导电沟道。 B: 右图为当UGS增大到某值时，在P型衬底中形成一个N型半导体区导电沟道，称为N型反型层。 C: 刚刚产生N型反型层导电沟道所需的栅源电压UGS，称为开启电压 UGS（TH）。 D: UGS大于开启电压后，UGS越大，导电沟道越宽，沟道电阻就越小，反之亦然。如果此时加有漏源电压UDS，就可以形成漏极电流ID。
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下面二图描述了N沟道增强型绝缘栅型场效应管，漏源电压UDS = 0时，栅源电压UGS对导电沟道的控制作用。下列文字描述正确的是（ ）。[img=591x417]1803296eaa541b2.png[/img]和[img=647x443]1803296ebdfa0b2.png[/img] A: 左图为UDS=0，UGS比较小时，由于栅极和衬底间的电场效应，将栅极下方靠近绝缘层的P衬底中的空穴向下排斥，剩下一些不能移动的负离子，从而形成耗尽层，漏源之间形成不了导电沟道。 B: 右图为当UGS增大到某值时，在P型衬底中形成一个N型半导体区导电沟道，称为N型反型层。 C: 刚刚产生N型反型层导电沟道所需的栅源电压UGS，称为开启电压 UGS（TH）。 D: UGS大于开启电压后，UGS越大，导电沟道越宽，沟道电阻就越小，反之亦然。如果此时加有漏源电压UDS，就可以形成漏极电流ID。
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设某增强型N沟道MOS管UGS（th）=3V，试问当它的栅源电压uGS=2.5V时，该管处于 （ ）区。 A: 截止 B: 可变电阻 C: 放大 D: 击穿
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在增强型MOS管中刚出现漏极电流Idss时所对应的栅源电压Ugs称为（）。
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N沟道结型场效应管的栅源控制电压UGS A: UGS>;0 B: UGS<;0 C: UGS可正可负