中国大学MOOC:N沟道增强型场效晶体管，当栅源电压UGS>UGS(th）(开启电压)时，场效晶体管导通，产生漏极电流ID，随栅源电压UGS的变化ID随之变化。
举一反三
- 设某增强型N沟道MOS管UGS（th）=3V，试问当它的栅源电压uGS=2.5V时，该管处于（ ）状态。
- 下面四个图形描述了绝缘栅型场效应管，当栅源电压 UGS 大于开启电压 UGS（TH），且固定为某一值时，漏源电压 ＵDS 对漏极电流 ID 的影响。下列文字描述正确的是（ ）。 e5965e0422325e1f249f6fbbb607c572.pngc4480ead269aaa8e4c1f0a6f04c6a4ca.png434b0779a63396f0c45b0562f7c6d378.png35277202530e479f10e1a04eec0f0c0b.png
- 设某增强型N沟道MOS管开启电压UGS(th)=3.6V,试问当它的栅—源电压UGS为3.62V时，该管处于（ ） A: 截止区 B: 导通状态 C: 开关状态 D: 可变电阻区
- 设某增强型N沟道MOS管UGS（th）=3V，试问当它的栅源电压uGS=3.2V时，该管处于 （ ）状态。 A: 截止 B: 导通 C: 可变电阻 D: 反向击穿
- 下面三个图形为结型场效应管栅源电压UGS取值为夹断电压UGS（off）—0之间的某一固定值时，漏极电流ID随漏源电压UDS的变化的情况。下列文字描述正确的是。 4b6af8a6ade69dc0231d2112d94c9558.pngcb38b7e906459b0da23a17b8c8f3a891.pngbebfb7f54293952ca6fcd9b2f69233bb.png