下面四个图形描述了绝缘栅型场效应管，当栅源电压 UGS 大于开启电压 UGS（TH），且固定为某一值时，漏源电压 ＵDS 对漏极电流 ID 的影响。下列文字描述正确的是（ ）。 e5965e0422325e1f249f6fbbb607c572.pngc4480ead269aaa8e4c1f0a6f04c6a4ca.png434b0779a63396f0c45b0562f7c6d378.png35277202530e479f10e1a04eec0f0c0b.png
右上图为UDS略大于零时，导电沟道为楔形，沟道电阻随UDS的增加而变化显著。此时，UDS比较小，且沟道电阻也比较小，d和s间呈现短路特性。左上图为UDS=0时，导电沟道为平直的长条形状。沟道电阻最小。左下图为UDS的增大，使得绝缘栅型场效应管的导电沟道出现了预夹断了。此时，沟道电阻增大了，但漏极电流ID并不为零。
举一反三
- 下面三个图形为结型场效应管栅源电压UGS取值为夹断电压UGS（off）—0之间的某一固定值时，漏极电流ID随漏源电压UDS的变化的情况。下列文字描述正确的是。 4b6af8a6ade69dc0231d2112d94c9558.pngcb38b7e906459b0da23a17b8c8f3a891.pngbebfb7f54293952ca6fcd9b2f69233bb.png
- 逻辑函数F(A,B,C)＝[img=126x26]1803e2b2f7e3a00.png[/img]的最小项标准式为（ ） A: F=Σm（6、7） B: F=Σm（0、1、6、7） C: F=Σm（1、6、7） D: F=Σm（0、2、3、4、6）
- 用A表示(0|1|2|3|4|5|6|7|8|9|a|b|c|d|e|f|A|B|C|D|E|F)，用B表示(0|1|2|3|4|5|6|7|8|9|A|B|C|D|E|F)，则描述c语言十六进制整数的正规式是：( )。 A: (-|ε)(0x|0X)BB* B: (-|ε)AA* C: (-|ε)(0x|0X)AA* D: (0x|0X)BB*
- 当x∈[0，1]时，f"(x)＞0，则f"(0)，f"(1)，f(1)-f(0)的大小次序为______． A: f"(0)＞f(1)-f(0)＞f"(1) B: f"(0)＜f"(1)＜f(1)-f(0) C: f"(0)＞f"(1)＞f(1)-f(0) D: f"(0)＜f(1)-f(0)＜f"(1)
- 当x∈[0，1]时，f"(x)>0，则f"(0)，f"(1)，f(1)-f(0)的大小次序为( )． A: f"(0)>f(1)-f(0)>f"(1) B: f"(0)C．f"(0)>f"(1)>f(1)-f(0) C: f"(0)
内容
- 0
设f(x)=x2+bx+x满足关系式f(1+x)=f(1-x)，则下述结论中，正确的是( )． A: f(0)＞f(1)＞f(3) B: f(1)＞f(0)＞f(3) C: f(3)＞f(1)＞f(0) D: f(3)＞f(0)＞f(1) E: f(1)＞f(3)＞f(0)
- 1
设在[0，1]上f""(x)＞0，则f"(0)f"(1)，f(1)-f(0)或f(0)-f(1)的大小顺序是() A: f"(1)＞f"(0)＞f(1)-f(0)。 B: f"(1)＞f(1)-f(0)＞f"(0)。 C: f(1)-f(0)＞f"(1)＞f"(0)。 D: f"(1)＞f(0)-f(1)＞f"(0)。
- 2
逻辑函数的最小项表达式为() A: F=Σm（0、2、5、7） B: C: F=Σm（1、3、6） D: F=Σm（0、1、2、6、7）
- 3
设函数f(x)在x=0处连续，且 A: f(0)=0且f"一(0)存在 B: f(0)=1且f"一(0)存在 C: f(0)=0且f"+(0)存在 D: f(0)=1且f"+(0)存在
- 4
在[0，1]上f"(x)＞0，则f'(0)，f'(1)，f(1)-f(0)及f(0)-f(1)的大小顺序是( )． A: f'(1)＞f(0)-f(1)＞f'(0) B: f(1)-f(0)＞f'(1)＞f'(0) C: f'(1)＞f'(0)＞f(1)-f0) D: f'(1)＞f(1)-f(0)＞f'(0)