下面三个图形为结型场效应管栅源电压UGS取值为夹断电压UGS（off）—0之间的某一固定值时，漏极电流ID随漏源电压UDS的变化的情况。下列文字描述正确的是。 4b6af8a6ade69dc0231d2112d94c9558.pngcb38b7e906459b0da23a17b8c8f3a891.pngbebfb7f54293952ca6fcd9b2f69233bb.png
举一反三
- 下面四个图形描述了绝缘栅型场效应管，当栅源电压 UGS 大于开启电压 UGS（TH），且固定为某一值时，漏源电压 ＵDS 对漏极电流 ID 的影响。下列文字描述正确的是（ ）。 e5965e0422325e1f249f6fbbb607c572.pngc4480ead269aaa8e4c1f0a6f04c6a4ca.png434b0779a63396f0c45b0562f7c6d378.png35277202530e479f10e1a04eec0f0c0b.png
- 下面二图描述的为：当漏源电压UDS取值为预夹断后的某些值时，漏极电流ID对栅源电压UGS的放大作用。图中，左图中的UGS的绝对值，比右图的大，且，UDS已使结型场效应管预夹断了。下列文字描述正确的是（ ）。 和 03d2bce88ddf8836dbd0b86d63b380a3.png4cdf80665783048875bff08520b13df1.png
- 中国大学MOOC:N沟道增强型场效晶体管，当栅源电压UGS>UGS(th）(开启电压)时，场效晶体管导通，产生漏极电流ID，随栅源电压UGS的变化ID随之变化。
- 栅源电压UGS和漏源电压UDS必须保证结型场效应管的两个PN结处于正偏状态
- 下面二图描述了N沟道增强型绝缘栅型场效应管，漏源电压UDS = 0时，栅源电压UGS对导电沟道的控制作用。下列文字描述正确的是（ ）。 和 da018854a898b6286384713faa067d72.png6bc9f2c5497ffbe8a3e7db8f2cfa1082.png