对n沟增强型MOSFET而言，源极接地，半导体表面达到强反型后，___在沟道中______进行输运。（ ）
A: 空穴，由源端到漏端
B: 空穴，由漏端到源端
C: 电子，由源端到漏端
D: 电子，由漏端到源端
A: 空穴，由源端到漏端
B: 空穴，由漏端到源端
C: 电子，由源端到漏端
D: 电子，由漏端到源端
举一反三
- PMOS半导体表面达到反型后，若源端电位高于漏端电位，则在沟道中进行输运。 A: 空穴，由源端到漏端 B: 空穴，由漏端到源端 C: 电子，由源端到漏端 D: 电子，由漏端到源端
- 如果MOS管进入饱和工作区后，继续增加VDS，则沟道夹断点向___移动，在___将出现耗尽区。（） A: 漏端，漏端 B: 漏端，源端 C: 源端，漏端 D: 源端，源端
- 中国大学MOOC: PMOS半导体表面达到反型后，若源端电位高于漏端电位，则 在沟道中 进行输运。
- N沟道增强型电力MOSFET，引出3个端，分别为G--栅极、D--漏极、S--源极。 A: 正确 B: 错误
- 中国大学MOOC: N沟道增强型电力MOSFET，引出3个端，分别为G--栅极、D--漏极、S--源极。