如果MOS管进入饱和工作区后，继续增加VDS，则沟道夹断点向___移动，在___将出现耗尽区。（）
A: 漏端，漏端
B: 漏端，源端
C: 源端，漏端
D: 源端，源端
A: 漏端，漏端
B: 漏端，源端
C: 源端，漏端
D: 源端，源端
C
举一反三
- n沟增强型MOS管的源端接地，工作在饱和工作区时，以下说法中错误的是（）。 A: 此时满足条件 B: 沟道夹断点从源端向漏端移动 C: 沟道夹断点电压为 D: 沟道夹断区为耗尽区
- n沟增强型MOS管的源端接地，工作在饱和工作区时，以下说法中错误的是（ ）。 A: 此时满足条件VDS>VGS-VTH B: 沟道夹断点从源端向漏端移动 C: 沟道夹断点电压为VGS-VTH D: 沟道夹断区为耗尽区
- PMOS半导体表面达到反型后，若源端电位高于漏端电位，则在沟道中进行输运。 A: 空穴，由源端到漏端 B: 空穴，由漏端到源端 C: 电子，由源端到漏端 D: 电子，由漏端到源端
- n沟增强型MOS管的源端接地，工作在饱和工作区时，以下说法中错误的是（ ）。 未知类型：{'options': ['此时满足条件[img=132x22]180315a6a2e4480.png[/img]', '沟道夹断点从源端向漏端移动', '沟道夹断点电压为[img=79x22]180315a6aaf567e.png[/img]', '沟道夹断区为耗尽区'], 'type': 102}
- n沟增强型MOS管的源端接地，工作在饱和工作区时，以下说法中错误的是（ ）。 未知类型：{'options': ['此时满足条件[img=132x22]17de937fd746675.png[/img]', '沟道夹断点从源端向漏端移动', '沟道夹断点电压为[img=79x22]17de937fe3baa07.png[/img]', '沟道夹断区为耗尽区'], 'type': 102}
内容
- 0
对n沟增强型MOSFET而言，源极接地，半导体表面达到强反型后，___在沟道中______进行输运。（ ） A: 空穴，由源端到漏端 B: 空穴，由漏端到源端 C: 电子，由源端到漏端 D: 电子，由漏端到源端
- 1
对于N沟道MOS场效应管，漏源电压增大时，反型层夹断点将如何变化？ A: 向源端移动 B: 向漏端移动 C: 向栅极移动 D: 不变化
- 2
N沟道的MOS场效应晶体管，随着漏源电压的增大，电子导电沟道逐渐减薄，达到饱和漏源电压时，源端出现夹断现象。
- 3
MOS管处于线性工作区时，满足条件VDS___VGS-VTH，从源端到漏端沟道厚度越来越___。（ ） A: >，大 B: >，小 C: <，大 D: <，小
- 4
MOS管处于线性工作区时，满足条件VDS___VGS-VTH，从源端到漏端沟道厚度越来越___。（ ） A: >，大 B: >，小 C: <，大 D: <，小