PMOS半导体表面达到反型后，若源端电位高于漏端电位，则在沟道中进行输运。
A: 空穴，由源端到漏端
B: 空穴，由漏端到源端
C: 电子，由源端到漏端
D: 电子，由漏端到源端
A: 空穴，由源端到漏端
B: 空穴，由漏端到源端
C: 电子，由源端到漏端
D: 电子，由漏端到源端
举一反三
- 对n沟增强型MOSFET而言，源极接地，半导体表面达到强反型后，___在沟道中______进行输运。（ ） A: 空穴，由源端到漏端 B: 空穴，由漏端到源端 C: 电子，由源端到漏端 D: 电子，由漏端到源端
- 中国大学MOOC: PMOS半导体表面达到反型后，若源端电位高于漏端电位，则 在沟道中 进行输运。
- 如果MOS管进入饱和工作区后，继续增加VDS，则沟道夹断点向___移动，在___将出现耗尽区。（） A: 漏端，漏端 B: 漏端，源端 C: 源端，漏端 D: 源端，源端
- CMOS负载管为___，倒相管为___，两个管各自的______短接。（ ） A: PMOS，NMOS，衬底和源端 B: PMOS，NMOS，衬底和漏端 C: NMOS，PMOS，衬底和源端 D: NMOS，PMOS，衬底和漏端
- N沟道的MOS场效应晶体管，随着漏源电压的增大，电子导电沟道逐渐减薄，达到饱和漏源电压时，源端出现夹断现象。