下面哪一种方法是不能提高npn晶体管的发射效率
A: 提高发射区的掺杂浓度
B: 采用宽禁带基区材料
C: 减小基区掺杂浓度
D: 减少发射结复合电流
A: 提高发射区的掺杂浓度
B: 采用宽禁带基区材料
C: 减小基区掺杂浓度
D: 减少发射结复合电流
B
举一反三
- 要提高均匀基区晶体管的电流放大系数的方法（ ）。 A: 增大基区掺杂浓度 B: 减小基区掺杂浓度 C: 增大基区宽度 D: 减小基区宽度
- 以下能够有效增加npn晶体管输出电阻的途径为 A: 增加发射区掺杂浓度 B: 增加基区掺杂浓度 C: 增加集电区掺杂浓度 D: 减少发射结结深
- 下列双极型晶体管中，最容易发生基区穿通现象的是（ ）。 A: 基区掺杂浓度比集电区低，基区宽度较大 B: 基区掺杂浓度比集电区低，基区宽度较小 C: 基区掺杂浓度比发射区低，基区宽度较大 D: 基区掺杂浓度比发射区低，基区宽度较小
- 制造晶体管时要求发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。
- 下面哪一种不是异质结双极型晶体管的特点 A: 基区禁带宽 B: 基区宽度窄 C: 基区掺杂浓度高 D: 特征频率高
内容
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18、发射区与基区掺杂浓度的比值越大,发射结注入效率越大。
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晶体三极管发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度。
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以npn型双极型晶体管为例，以下关于发射区重掺杂效应的说法中错误的是（ ）。 未知类型：{'options': ['发射区重掺杂导致杂质能级分裂，禁带宽度变窄，[img=24x25]180315a48e6437a.png[/img]增大', '发射区重掺杂导致电子浓度升高，[img=25x22]180315a49699007.png[/img]增大，发射效率提高', '俄歇复合增强，空穴寿命减小，扩散长度减小，[img=24x25]180315a48e6437a.png[/img]增大', '考虑发射效率公式，放大系数减小'], 'type': 102}
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以npn型双极型晶体管为例，以下关于发射区重掺杂效应的说法中错误的是（ ）。 未知类型：{'options': ['发射区重掺杂导致杂质能级分裂，禁带宽度变窄，[img=24x25]180315a5268025f.png[/img]增大', '发射区重掺杂导致电子浓度升高，[img=25x22]180315a5303f7bc.png[/img]增大，发射效率提高', '俄歇复合增强，空穴寿命减小，扩散长度减小，[img=24x25]180315a5268025f.png[/img]增大', '考虑发射效率公式，放大系数减小'], 'type': 102}
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制造晶体管时要求发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。 A: 正确 B: 错误