在一定温度下，以下措施不能使PN结的接触电势差变大的是（ ）。
A: 减小低掺杂区的掺杂浓度
B: 提高P区和N区的掺杂浓度
C: 选用禁带宽度高的半导体材料
D: 选用本征载流子浓度小的半导体材料
A: 减小低掺杂区的掺杂浓度
B: 提高P区和N区的掺杂浓度
C: 选用禁带宽度高的半导体材料
D: 选用本征载流子浓度小的半导体材料
A
举一反三
- 在一定温度下，以下措施不能使PN结的接触电势差变大的是（ ）。 A: 减小低掺杂区的掺杂浓度 B: 提高P区和N区的掺杂浓度 C: 选用禁带宽度高的半导体材料 D: 选用本征载流子浓度小的半导体材料
- 在一定温度下，关于突变结的接触电势差，下列说法正确的是 A: p区掺杂浓度越高，接触电势差越小 B: n区掺杂浓度越高，接触电势差越小 C: 禁带宽度越大，接触电势差越小 D: 本征载流子浓度越大，接触电势差越小
- 对于一定的半导体材料，掺杂浓度降低将导致禁带宽度和本征载流子浓度（ ） A: 增加 B: 减小 C: 不变
- PN结中空间正电荷区比空间负电荷区宽，说明N型半导体的掺杂浓度（ ）P型半导体的掺杂浓度。 A: 一样 B: 大于 C: 小于 D: 不确定
- 对于掺杂浓度一定的Si半导体材料,温度越高,载流子浓度越高
内容
- 0
在一定温度下，半导体热平衡时载流子浓度积等于本征载流子浓度的平方，而与掺杂无关。
- 1
PN结空间电荷区的最大电场与（ ）无关。 A: 半导体材料 B: 掺杂浓度 C: 外加电压 D: PN结面积
- 2
PN结反向饱和电流的大小主要取决于半导体材料的 A: 种类 B: 掺杂浓度 C: 禁带宽度 D: 温度
- 3
杂质半导体，其电子浓度和空穴浓度的乘积为常数，由 （ ）决定。 A: 温度和禁带宽度 B: 温度和掺杂浓度 C: 温度、掺杂浓度和禁带宽度 D: 掺杂浓度和禁带宽度
- 4
在杂质半导体中少数载流子的数量主要与 有关。(a.掺杂浓度、b.温度) A: 掺杂浓度 B: 温度 C: 半导体材料类型 D: 杂质材料类型