对于一定的半导体材料，掺杂浓度降低将导致禁带宽度和本征载流子浓度（ ）
A: 增加
B: 减小
C: 不变
A: 增加
B: 减小
C: 不变
举一反三
- 2.对于一定的半导体材料，掺杂浓度降低将导致禁带宽度（ ）。 A: 增加 B: 不变 C: 减少
- 对于一定的浅能级掺杂的p型半导体材料，在常温下，掺杂浓度降低将导致禁带宽度 。 A: 增加 B: 不变 C: 减少 D: 不确定
- 在一定温度下，以下措施不能使PN结的接触电势差变大的是（ ）。 A: 减小低掺杂区的掺杂浓度 B: 提高P区和N区的掺杂浓度 C: 选用禁带宽度高的半导体材料 D: 选用本征载流子浓度小的半导体材料
- 在一定温度下，以下措施不能使PN结的接触电势差变大的是（ ）。 A: 减小低掺杂区的掺杂浓度 B: 提高P区和N区的掺杂浓度 C: 选用禁带宽度高的半导体材料 D: 选用本征载流子浓度小的半导体材料
- 关于本征半导体，下列说法哪些是正确的？ A: 本征半导体的载流子浓度来源于本征激发 B: 本征半导体，电子浓度等于空穴浓度 C: 本征半导体的载流子浓度与温度无关 D: 一定温度下，半导体的禁带宽度越大，本征载流子浓度越小