下列哪些不属于计算MOS管最高振荡频率的非理想因素（ ）。
A: 小尺寸器件沟道长度采用栅极长度计算
B: 晶格散射导致的载流子迁移率退化
C: 小尺寸器件中的纵向电场
D: 栅漏电容的米勒效应
A: 小尺寸器件沟道长度采用栅极长度计算
B: 晶格散射导致的载流子迁移率退化
C: 小尺寸器件中的纵向电场
D: 栅漏电容的米勒效应
举一反三
- 下列哪项在计算MOS管最高振荡频率时，可以不考虑（ ）。 A: 小尺寸器件沟道长度与栅极长度并不完全相等 B: 晶格散射导致的载流子迁移率退化 C: 小尺寸器件中的纵向电场 D: 栅漏电容的米勒效应
- 下列关于MOS管最高振荡频率描述错误的是（ ）。 A: 如果考虑寄生电容，相比理想情况，最高振荡频率会降低 B: 理论计算MOS管最高振荡频率时，需去除电容CGD和漏极输出电阻的影响 C: 最高振荡频率与器件跨导成正比 D: 最高振荡频率与器件沟道长度成正比
- 下列关于MOS管最高振荡频率描述错误的是（ ）。 A: 最高振荡频率>特征频率 B: 理论计算MOS管最高振荡频率时，需去除电容和漏极输出电阻的影响 C: 最高振荡频率与器件跨导成正比 D: 最高振荡频率与器件栅氧层厚度成反比
- 小尺寸MOS器件中的二级效应包括哪些？
- 下列不属于提高MOS管特征频率方法的是（）。 A: 采用应力工程，提高载流子迁移率 B: 提高跨导 C: 增加沟道长度 D: 减小栅围寄生电容