下列关于MOS管最高振荡频率描述错误的是（ ）。
A: 如果考虑寄生电容，相比理想情况，最高振荡频率会降低
B: 理论计算MOS管最高振荡频率时，需去除电容CGD和漏极输出电阻的影响
C: 最高振荡频率与器件跨导成正比
D: 最高振荡频率与器件沟道长度成正比
A: 如果考虑寄生电容，相比理想情况，最高振荡频率会降低
B: 理论计算MOS管最高振荡频率时，需去除电容CGD和漏极输出电阻的影响
C: 最高振荡频率与器件跨导成正比
D: 最高振荡频率与器件沟道长度成正比
D
举一反三
- 下列关于MOS管最高振荡频率描述错误的是（ ）。 A: 最高振荡频率>特征频率 B: 理论计算MOS管最高振荡频率时，需去除电容和漏极输出电阻的影响 C: 最高振荡频率与器件跨导成正比 D: 最高振荡频率与器件栅氧层厚度成反比
- 直流偏置为VDD时，下列关于最高振荡频率说法错误的是（ ）。 A: MOS管最高振荡频率工作时一定工作在饱和区 B: MOS管最高振荡频率工作时电流均流向输出回路 C: 过驱动电压越高，MOS管最高振荡频率越高 D: 栅电容越大，MOS管最高振荡频率越高
- 中国大学MOOC: 下列关于MOS管最高振荡频率描述错误的是（ ）。
- 中国大学MOOC: 下列哪项在计算MOS管最高振荡频率时，可以不考虑（ ）。
- 截止频率，特征频率，最高振荡频率三个频率参数的大小关系为（ ）。 A: 截止频率<特征频率<最高振荡频率 B: 特征频率<截止频率<最高振荡频率 C: 特征频率<最高振荡频率<截止频率 D: 不能确定
内容
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下列哪些不属于计算MOS管最高振荡频率的非理想因素（ ）。 A: 小尺寸器件沟道长度采用栅极长度计算 B: 晶格散射导致的载流子迁移率退化 C: 小尺寸器件中的纵向电场 D: 栅漏电容的米勒效应
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下列哪项在计算MOS管最高振荡频率时，可以不考虑（ ）。 A: 小尺寸器件沟道长度与栅极长度并不完全相等 B: 晶格散射导致的载流子迁移率退化 C: 小尺寸器件中的纵向电场 D: 栅漏电容的米勒效应
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中国大学MOOC: 考虑寄生电容CGD起的是___作用，CGD越大，最高振荡频率fM越___（ ）。
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MOS器件的最高工作频率与其沟道长度的平方成正比，增大沟道长度L可有效地提高工作频率。 A: 正确 B: 错误
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中国大学MOOC: MOS器件的最高工作频率与其沟道长度的平方成正比，增大沟道长度L可有效地提高工作频率。