场效应晶体管器件中的寄生效应不包括（ ） A: 寄生电阻 B: 寄生电压 C: 寄生电流 D: 寄生电容
场效应晶体管器件中的寄生效应不包括（ ） A: 寄生电阻 B: 寄生电压 C: 寄生电流 D: 寄生电容
寄生电容与传感器电容相并联，影响传感器灵敏度
寄生电容与传感器电容相并联，影响传感器灵敏度
PN结的电容效应主要包括（ ）。 A: 扩散电容 B: 寄生电容 C: 势垒电容 D: 杂散电容
PN结的电容效应主要包括（ ）。 A: 扩散电容 B: 寄生电容 C: 势垒电容 D: 杂散电容
高频电路中过孔的寄生电感带来的危害往往( )寄生电容的影响。
高频电路中过孔的寄生电感带来的危害往往( )寄生电容的影响。
消除寄生电容对电容式传感器的影响的方法不包括() A: 减小初始电容值法 B: 采用驱动电缆技术，减小寄生电客 C: 运算放大器驱动法 D: 整体屏蔽法
消除寄生电容对电容式传感器的影响的方法不包括() A: 减小初始电容值法 B: 采用驱动电缆技术，减小寄生电客 C: 运算放大器驱动法 D: 整体屏蔽法
场效应晶体管器件中的寄生电容包括（ ） A: 直接交叠区电容 B: 外部交叠区电容 C: 源漏结电容 D: 内部交叠区电容
场效应晶体管器件中的寄生电容包括（ ） A: 直接交叠区电容 B: 外部交叠区电容 C: 源漏结电容 D: 内部交叠区电容
驱动电缆技术的使用是为了减小寄生电容对电容传感器的影响。
驱动电缆技术的使用是为了减小寄生电容对电容传感器的影响。
分布和寄生电容的存在对电容传感器的影响和措施有哪些？
分布和寄生电容的存在对电容传感器的影响和措施有哪些？
题2-2-1、MOS管中相对最大的寄生电容是（）。 A: 栅极氧化层电容 B: 耗尽层电容 C: 源漏交叠电容 D: 结电容
题2-2-1、MOS管中相对最大的寄生电容是（）。 A: 栅极氧化层电容 B: 耗尽层电容 C: 源漏交叠电容 D: 结电容
寄生电容与电容传感器相关联影响传感器的灵敏度，它的变化为虚假信号影响传感器的精度。试阐述消除和减小寄生电容影响的几种方法和原理。
寄生电容与电容传感器相关联影响传感器的灵敏度，它的变化为虚假信号影响传感器的精度。试阐述消除和减小寄生电容影响的几种方法和原理。