直流偏置为VDD时，下列关于最高振荡频率说法错误的是（ ）。
A: MOS管最高振荡频率工作时一定工作在饱和区
B: MOS管最高振荡频率工作时电流均流向输出回路
C: 过驱动电压越高，MOS管最高振荡频率越高
D: 栅电容越大，MOS管最高振荡频率越高
A: MOS管最高振荡频率工作时一定工作在饱和区
B: MOS管最高振荡频率工作时电流均流向输出回路
C: 过驱动电压越高，MOS管最高振荡频率越高
D: 栅电容越大，MOS管最高振荡频率越高
举一反三
- 下列关于MOS管最高振荡频率描述错误的是（ ）。 A: 最高振荡频率>特征频率 B: 理论计算MOS管最高振荡频率时，需去除电容和漏极输出电阻的影响 C: 最高振荡频率与器件跨导成正比 D: 最高振荡频率与器件栅氧层厚度成反比
- 下列关于MOS管最高振荡频率描述错误的是（ ）。 A: 如果考虑寄生电容，相比理想情况，最高振荡频率会降低 B: 理论计算MOS管最高振荡频率时，需去除电容CGD和漏极输出电阻的影响 C: 最高振荡频率与器件跨导成正比 D: 最高振荡频率与器件沟道长度成正比
- 中国大学MOOC: 下列关于MOS管最高振荡频率描述错误的是（ ）。
- 中国大学MOOC: 下列哪项在计算MOS管最高振荡频率时，可以不考虑（ ）。
- 中国大学MOOC: 直流偏置为VDD时，下列关于最高振荡频率说法错误的是（ ）。