31、双极晶体管的基区渡越时间为发射极电流对发射结势垒电容充放电的时间常数。
举一反三
- 对双极型晶体管特征频率影响最大的通常是 A: 发射极延迟时间 B: 基区渡越时间 C: 集电结势垒渡越时间 D: 集电极延迟时间
- 由于双极型晶体管有效基区宽度的变化，引起基区中少子积累的变化，反应出 的充放电效应。（ ） A: 集电结势垒电容 B: 集电结扩散电容 C: 发射结势垒电容 D: 发射结扩散电容
- 由于双极型晶体管有效基区宽度的变化，引起基区中少子积累的变化，反应出（ ）的充放电效应。 A: 集电结势垒电容 B: 集电结扩散电容 C: 发射结势垒电容 D: 发射结扩散电容
- 发射结势垒电容充放电需要时间,会使三极管的电流放大性能( )
- 中国大学MOOC: 双极型晶体管硅管和锗管中,发射结势垒区复合电流对发射效率的影响,下列说法中正确的是