由于双极型晶体管有效基区宽度的变化，引起基区中少子积累的变化，反应出（ ）的充放电效应。
A: 集电结势垒电容
B: 集电结扩散电容
C: 发射结势垒电容
D: 发射结扩散电容
A: 集电结势垒电容
B: 集电结扩散电容
C: 发射结势垒电容
D: 发射结扩散电容
举一反三
- 由于双极型晶体管有效基区宽度的变化，引起基区中少子积累的变化，反应出（ ）的充放电效应。 A: 集电结势垒电容 B: 集电结扩散电容 C: 发射结势垒电容 D: 发射结扩散电容
- 工作在放大模式的晶体三极管，发射结电容和集电结电容分别以______为主。 A: 势垒电容和扩散电容 B: 扩散电容和势垒电容 C: 扩散电容和扩散电容 D: 势垒电容和势垒电容
- 引起晶体管基区宽度调制效应的主要原因是（）。 A: 发射结正偏电压变化 B: 集电结反偏电压变化 C: 基区少子浓度梯度变化 D: 发射结势垒宽度变化
- 引起晶体管基区宽度调制效应的主要原因是（）。 A: 发射结正偏电压变化 B: 集电结反偏电压变化 C: 基区少子浓度梯度变化 D: 发射结势垒宽度变化
- 关于PN结势垒电容和扩散电容,下列说法中正确的是 A: 势垒电容和扩散电容都可用平板电容等效 B: 势垒电容和扩散电容都不能用平板电容等效 C: 势垒电容可用平板电容等效,而扩散电容则不能 D: 扩散电容可用平板电容等效,而势垒电容则不能。