NPN双极型晶体管具有放大作用，要求基区宽度足够小。原因不包括（ ）。
A: 减少在基区中复合的电子数
B: 使得从发射区注入基区的载流子绝大部分可到达集电区
C: 基区中空穴的扩散长度很小
D: 使绝大多数电子可通过基区达到集电结边界
A: 减少在基区中复合的电子数
B: 使得从发射区注入基区的载流子绝大部分可到达集电区
C: 基区中空穴的扩散长度很小
D: 使绝大多数电子可通过基区达到集电结边界
举一反三
- NPN双极型晶体管具有放大作用，要求基区宽度足够小。原因不包括（ ）。 A: 减少在基区中复合的电子数 B: 使得从发射区注入基区的载流子绝大部分可到达集电区 C: 基区中空穴的扩散长度很小 D: 使绝大多数电子可通过基区达到集电结边界
- 中国大学MOOC: NPN双极型晶体管具有放大作用，要求基区宽度足够小。原因不包括（ ）。
- 双极型晶体管的基区输运系数主要取决于 A: 发射区宽度 B: 基区宽度 C: 发射效率 D: 集电区宽度
- 下列双极型晶体管中，最容易发生基区穿通现象的是（ ）。 A: 基区掺杂浓度比集电区低，基区宽度较大 B: 基区掺杂浓度比集电区低，基区宽度较小 C: 基区掺杂浓度比发射区低，基区宽度较大 D: 基区掺杂浓度比发射区低，基区宽度较小
- 对于PNP型均匀基区晶体管，基区输运系数定义为（ ）。 A: 发射极短路时，到达集电结的电子电流与注入到基区的电子电流之比 B: 发射极短路时，到达集电结的空穴电流与注入到基区的空穴电流之比 C: 集电极短路时，到达集电结的电子电流与注入到基区的电子电流之比 D: 集电极短路时，到达集电结的空穴电流与注入到基区的空穴电流之比