对于PNP型均匀基区晶体管，基区输运系数定义为（ ）。
A: 发射极短路时，到达集电结的电子电流与注入到基区的电子电流之比
B: 发射极短路时，到达集电结的空穴电流与注入到基区的空穴电流之比
C: 集电极短路时，到达集电结的电子电流与注入到基区的电子电流之比
D: 集电极短路时，到达集电结的空穴电流与注入到基区的空穴电流之比
A: 发射极短路时，到达集电结的电子电流与注入到基区的电子电流之比
B: 发射极短路时，到达集电结的空穴电流与注入到基区的空穴电流之比
C: 集电极短路时，到达集电结的电子电流与注入到基区的电子电流之比
D: 集电极短路时，到达集电结的空穴电流与注入到基区的空穴电流之比
举一反三
- 对于NPN晶体管，注入到基区的电子电流与发射极总电流之比称为注入效率
- 中国大学MOOC: 基区中到达集电结的少子电流与从发射区注入基区的少子形成的电流之比，称为基区输运系数。
- 晶体管的基区输运系数是指（）电流与（）电流之比。由于少子在渡越基区的过程中会发生（），从而使基区输运系数（）。为了提高基区输运系数，应当使基区宽度（）基区少子扩散长度。
- NPN双极型晶体管具有放大作用，要求基区宽度足够小。原因不包括（ ）。 A: 减少在基区中复合的电子数 B: 使得从发射区注入基区的载流子绝大部分可到达集电区 C: 基区中空穴的扩散长度很小 D: 使绝大多数电子可通过基区达到集电结边界
- NPN双极型晶体管具有放大作用，要求基区宽度足够小。原因不包括（ ）。 A: 减少在基区中复合的电子数 B: 使得从发射区注入基区的载流子绝大部分可到达集电区 C: 基区中空穴的扩散长度很小 D: 使绝大多数电子可通过基区达到集电结边界