对于PNP型均匀基区晶体管，基区输运系数定义为（ ）。
A: 发射极短路时，到达集电结的电子电流与注入到基区的电子电流之比
B: 发射极短路时，到达集电结的空穴电流与注入到基区的空穴电流之比
C: 集电极短路时，到达集电结的电子电流与注入到基区的电子电流之比
D: 集电极短路时，到达集电结的空穴电流与注入到基区的空穴电流之比
A: 发射极短路时，到达集电结的电子电流与注入到基区的电子电流之比
B: 发射极短路时，到达集电结的空穴电流与注入到基区的空穴电流之比
C: 集电极短路时，到达集电结的电子电流与注入到基区的电子电流之比
D: 集电极短路时，到达集电结的空穴电流与注入到基区的空穴电流之比
D
举一反三
- 对于NPN晶体管，注入到基区的电子电流与发射极总电流之比称为注入效率
- 中国大学MOOC: 基区中到达集电结的少子电流与从发射区注入基区的少子形成的电流之比，称为基区输运系数。
- 晶体管的基区输运系数是指（）电流与（）电流之比。由于少子在渡越基区的过程中会发生（），从而使基区输运系数（）。为了提高基区输运系数，应当使基区宽度（）基区少子扩散长度。
- NPN双极型晶体管具有放大作用，要求基区宽度足够小。原因不包括（ ）。 A: 减少在基区中复合的电子数 B: 使得从发射区注入基区的载流子绝大部分可到达集电区 C: 基区中空穴的扩散长度很小 D: 使绝大多数电子可通过基区达到集电结边界
- NPN双极型晶体管具有放大作用，要求基区宽度足够小。原因不包括（ ）。 A: 减少在基区中复合的电子数 B: 使得从发射区注入基区的载流子绝大部分可到达集电区 C: 基区中空穴的扩散长度很小 D: 使绝大多数电子可通过基区达到集电结边界
内容
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当集电结反偏时，基区和集电区中的少子向对方漂移，形成了 。 A: 基极电流IBN B: 集电极电流ICN C: 发射极电流IE D: 反向饱和电流ICBO
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由于集电结反偏，在内电场的作用下，集电区的少数载流子 ( 空穴 ) 和基区的少数载流子 ( 电子 ) 将发生漂移运动而形成电流，这个电流称为反向饱和电流
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ICBO代表()时的集电极电流，称为共基极反向截止电流。 A: 发射极短路、集电结反偏 B: 发射极反偏、集电结开路 C: 发射极开路、集电结反偏 D: 发射极正偏、集电结反偏
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对于漂移晶体管，为提高电流放大系数，可以考虑降低发射区与基区的方块电阻之比，减小基区宽度，提高基区自建电场因子，提高基区少子寿命和迁移率等措施。
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对于漂移晶体管，为提高电流放大系数，可以考虑降低发射区与基区的方块电阻之比，减小基区宽度，提高基区自建电场因子，提高基区少子寿命和迁移率等措施。