晶圆制备的九个工艺步骤分别是（）、整型、（）、磨片倒角、刻蚀、（）、清洗、检查和包装。
单晶生长；切片；抛光
举一反三
内容
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下面选项中不属于晶圆制备中的整型处理的是（）。 A: 倒角 B: 去掉两端 C: 径向研磨 D: 硅片定位边和定位槽
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机械测试晶圆和工艺试验晶圆主要用于监测和评估工艺过程和步骤的。
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刻蚀可以通过化学或物理步骤选择性移除晶圆表面材料，在湿法刻蚀、干法刻蚀、等离子体刻蚀和激光刻蚀工艺中，（ ）因底切效应无法用于刻蚀小于3μm的图形。 A: 干法刻蚀 B: 湿法刻蚀 C: 等离子体刻蚀 D: 激光刻蚀
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在晶圆制造过程中，属于添加工艺的是？ A: 掺杂工艺 B: 沉积工艺 C: 刻蚀工艺 D: 化学机械研磨工艺
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晶圆来料包装完整性检查，若来料晶圆有（）情形，被视为拒收。 A: 包装受损 B: 包装破裂 C: 包装污染 D: 来料无真空包装