从外观上哪个不是单晶硅特征( )。
A: 单晶硅有倒角
B: 单晶硅电池表面是细小而均匀的颗粒
C: 单晶硅电池表面多为褐色或黑色
D: 单晶硅电池片尺寸为125×125
A: 单晶硅有倒角
B: 单晶硅电池表面是细小而均匀的颗粒
C: 单晶硅电池表面多为褐色或黑色
D: 单晶硅电池片尺寸为125×125
D
举一反三
- 单晶硅太阳能电池和多晶硅太阳能电池外观上主要区别有 A: 单晶的有倒角，多晶的无倒角 B: 单晶的表面是颗粒状的，多晶的为大理石纹状的 C: 单晶的一般是蓝色的，多晶的是黑色或褐色的 D: 单晶电池片尺寸比多晶的大
- 太阳能电池一般为硅电池,分为( )。 A: 单晶硅太阳能电池 B: 多晶硅太阳能电池 C: 非晶硅太阳能电池
- 硅系太阳能电池大致可以分为单晶硅太阳能电池、多晶硅太阳能电池、非晶硅薄膜太阳能电池、太阳能级硅电池。
- 多晶硅和单晶硅的区别（）。 A: 多晶花纹状，单晶白色 B: 多晶花纹状，单晶没有 C: 多晶彩色，单晶白色 D: 多晶黑色，单晶白色
- 只有单晶硅或单晶锗才能制作半导体器件。
内容
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下面关于拉制单晶的问题，哪个正确？ A: 拉制单晶锭是以最大提拉速度进行生产的 B: 单晶生长是在熔体硅/晶体硅界面进行的 C: 实际干锅内熔体的温度梯度为零 D: 实际提拉单晶硅锭的速率考虑了质量和生产效率两方面因素
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太阳能电池一般为硅电池，分为单晶硅电太阳能电池，多晶硅太阳能电池和()三种。 A: 非晶硅太阳能电池 B: 金属硅太阳能电池 C: 钛合硅太阳能电池
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下列有关CZ法的优缺点叙述正确的是？ A: CZ法通过光学传感器监测单晶棒与熔融硅界面的亮环，控制提拉速度，获得均匀的单晶棒。 B: CZ法因为使用了石英坩埚和石墨坩埚套，导致单晶硅棒氧和碳含量相对较高。 C: CZ法使用移动的加热线圈，完成单晶硅棒的生长，因此硅棒的直径相对较小。 D: CZ法生长单晶硅棒时，硅棒需要匀速旋转，保证径向生长的均匀性。
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硅基半导体材料包含非晶硅、微晶硅、多晶硅和单晶硅，载流子迁移率最大的是（ ）？ A: 非晶硅 B: 微晶硅 C: 多晶硅 D: 单晶硅
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半导体硅工业产品不包括（）①多晶硅②单晶硅③外延片④非晶硅 A: ①②④ B: ①②③④ C: ②③④ D: ③④