只有单晶硅或单晶锗才能制作半导体器件。
只有单晶硅或单晶锗才能制作半导体器件。
多晶硅和单晶硅的区别（）。 A: 多晶花纹状，单晶白色 B: 多晶花纹状，单晶没有 C: 多晶彩色，单晶白色 D: 多晶黑色，单晶白色
多晶硅和单晶硅的区别（）。 A: 多晶花纹状，单晶白色 B: 多晶花纹状，单晶没有 C: 多晶彩色，单晶白色 D: 多晶黑色，单晶白色
下面关于拉制单晶的问题，哪个正确？ A: 拉制单晶锭是以最大提拉速度进行生产的 B: 单晶生长是在熔体硅/晶体硅界面进行的 C: 实际干锅内熔体的温度梯度为零 D: 实际提拉单晶硅锭的速率考虑了质量和生产效率两方面因素
下面关于拉制单晶的问题，哪个正确？ A: 拉制单晶锭是以最大提拉速度进行生产的 B: 单晶生长是在熔体硅/晶体硅界面进行的 C: 实际干锅内熔体的温度梯度为零 D: 实际提拉单晶硅锭的速率考虑了质量和生产效率两方面因素
硅基半导体材料包含非晶硅、微晶硅、多晶硅和单晶硅，载流子迁移率最大的是（ ）？ A: 非晶硅 B: 微晶硅 C: 多晶硅 D: 单晶硅
硅基半导体材料包含非晶硅、微晶硅、多晶硅和单晶硅，载流子迁移率最大的是（ ）？ A: 非晶硅 B: 微晶硅 C: 多晶硅 D: 单晶硅
材料是单晶锗和单晶硅的半导体称为本征半导体（）
材料是单晶锗和单晶硅的半导体称为本征半导体（）
下列有关CZ法的优缺点叙述正确的是？ A: CZ法通过光学传感器监测单晶棒与熔融硅界面的亮环，控制提拉速度，获得均匀的单晶棒。 B: CZ法因为使用了石英坩埚和石墨坩埚套，导致单晶硅棒氧和碳含量相对较高。 C: CZ法使用移动的加热线圈，完成单晶硅棒的生长，因此硅棒的直径相对较小。 D: CZ法生长单晶硅棒时，硅棒需要匀速旋转，保证径向生长的均匀性。
下列有关CZ法的优缺点叙述正确的是？ A: CZ法通过光学传感器监测单晶棒与熔融硅界面的亮环，控制提拉速度，获得均匀的单晶棒。 B: CZ法因为使用了石英坩埚和石墨坩埚套，导致单晶硅棒氧和碳含量相对较高。 C: CZ法使用移动的加热线圈，完成单晶硅棒的生长，因此硅棒的直径相对较小。 D: CZ法生长单晶硅棒时，硅棒需要匀速旋转，保证径向生长的均匀性。
以下制作硅片的流程正确的为（ ）。 A: 沙子-熔融-切割-拉单晶-硅晶圆 B: 沙子-熔融-拉单晶-切割-硅晶圆 C: 沙子-切割-熔融-拉单晶-硅晶圆
以下制作硅片的流程正确的为（ ）。 A: 沙子-熔融-切割-拉单晶-硅晶圆 B: 沙子-熔融-拉单晶-切割-硅晶圆 C: 沙子-切割-熔融-拉单晶-硅晶圆
半导体硅工业产品不包括（）①多晶硅②单晶硅③外延片④非晶硅 A: ①②④ B: ①②③④ C: ②③④ D: ③④
半导体硅工业产品不包括（）①多晶硅②单晶硅③外延片④非晶硅 A: ①②④ B: ①②③④ C: ②③④ D: ③④
按照硅材料的晶体结构可将硅太阳能电池分为______太阳能电池。 A: 单晶硅 B: 双晶硅 C: 多晶硅 D: 非晶硅
按照硅材料的晶体结构可将硅太阳能电池分为______太阳能电池。 A: 单晶硅 B: 双晶硅 C: 多晶硅 D: 非晶硅
硅光电池的材料有（）等。 A: 单晶硅 B: 多晶硅 C: 非晶硅 D: 二氧化硅
硅光电池的材料有（）等。 A: 单晶硅 B: 多晶硅 C: 非晶硅 D: 二氧化硅