制作spacer层时，利用RIE刻蚀的什么性质可以保证将栅的表面和源漏表面的氮化硅刻掉
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举一反三
- 反应离子刻蚀RIE刻蚀时选择最优的刻蚀掺数的组合可以在保证表面光滑和一定的速率和方向性。
- 反应离子刻蚀RIE刻蚀时选择最优的刻蚀掺数的组合可以在保证表面光滑和一定的速率和方向性。 A: 正确 B: 错误
- 通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低。 A: 光刻胶 B: 衬底 C: 表面硅层 D: 扩散区 E: 源漏区
- 多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对（）的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。 A: A二氧化硅 B: B氮化硅 C: C单晶硅 D: D多晶硅
- 场效应晶体管是用()控制漏极电流的<br/>。 A: 漏源电压 B: 漏源电流 C: 栅源电流 D: 栅源电压