通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低。
A: 光刻胶
B: 衬底
C: 表面硅层
D: 扩散区
E: 源漏区
A: 光刻胶
B: 衬底
C: 表面硅层
D: 扩散区
E: 源漏区
举一反三
- 刻蚀过程中聚合物形成的来源有：（ ）。 A: Si衬底 B: 光刻胶 C: 刻蚀气体中的碳和其它物质组成的化合物 D: 刻蚀溶液
- PR的意思是 A: 光刻 B: 刻蚀 C: 光刻胶 D: 增粘剂
- 光刻工艺中,在对衬底进行表面处理并旋涂光刻胶后需要进行烘烤,以去除光刻胶中的溶剂、消除胶层内应力,这一步称为(______ )或软烘;之后在光刻机上进行对准和曝光,曝光之后一般还要进行一次烘烤,以减轻驻波效应,这一步称为(______ );显影之后要进行一次烘烤,以消除显影过程中带来的水分并增强光刻胶的粘附性和抗刻蚀性,这一步称为(______ )。
- 3、光刻的目的是将电路图形转移到 。刻蚀工艺是在没有光刻胶保护的地方 。
- 中国大学MOOC: 光刻流程中通过加温烘烤使胶膜更牢固地黏附在晶圆表面，并可 以増加胶层的抗刻蚀能力的工艺步骤是（）。