硅晶体的导带低位于布里渊区中的什么位置?(
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A: 第一布里渊区中心
B: 第一布里渊区边界上四边形中心点
C: 第一布里渊区中心六边形中心
D: 第一布里渊区中心到边界上四边形中心的连线上
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A: 第一布里渊区中心
B: 第一布里渊区边界上四边形中心点
C: 第一布里渊区中心六边形中心
D: 第一布里渊区中心到边界上四边形中心的连线上
举一反三
- 常见半导体的价带顶一般位于第一布里渊区中的哪个位置?(<br/>) A: 第一布里渊区中心 B: 第一布里渊区边界上四边形中心点 C: 第一布里渊区中心六边形中心 D: 第一布里渊区边界四边形和六边形的边界上
- 硅导带结构为( )。 A: 位于第一布里渊区内沿方向的6个球形等能面 B: 一半位于第一布里渊区内沿方向的6个球形等能面 C: 一半位于第一布里渊区内沿方向的8个椭球等能面 D: 位于第一布里渊区内沿方向的6个椭球等能面
- 半导体硅的价带极大值位于空间第一布里渊区的中央，其导带极小值位于（）方向上距布里渊区边界约0.85倍处，因此属于（）半导体。
- 硅导带结构为（）。 A: 位于第一布里渊区内沿<100>方向的6个球形等能面 B: 一半位于第一布里渊区内沿<111>方向的6个球形等能面 C: 一半位于第一布里渊区内沿<111>方向的8个椭球等能面 D: 位于第一布里渊区内沿<100>方向的6个椭球等能面
- 布里渊区边界面上能量的不连续意味着布里渊区边界上一定存在禁带。