化学机械抛光CMP工艺是最先进最广泛应用的抛光技术，抛光技术非常成熟，不会产生任何缺陷。
A: 正确
B: 错误
A: 正确
B: 错误
B
举一反三
内容
- 0
化学机械抛光CMP工艺中影响抛光质量的三大关键要素是（）。 A: 抛光机 B: 抛光液 C: 抛光垫 D: 后清洗设备
- 1
利用超声振动的能量，通过机械装置对型腔表面进行抛光加工的工艺方法是（）。 A: 手工抛光 B: 机械抛光 C: 超声波抛光 D: 挤压抛光
- 2
CMP工艺中抛光压力越大，抛光速率越快，抛光效果就越好。
- 3
化学机械抛光CMP设备中的抛光区域温度升高，抛光速率会减小，但是温度过高过低均会引起抛光质量下降。
- 4
中国大学MOOC: 化学机械抛光CMP工艺中影响抛光质量的三大关键要素是（）。