制造单晶硅衬底的方法包括（ ）。
A: 外延生长法
B: 直拉法
C: 氧化还原法
D: 区域熔融法
A: 外延生长法
B: 直拉法
C: 氧化还原法
D: 区域熔融法
举一反三
- 单晶硅的制备方法有（）。 A: 定向凝固法 B: 直拉单晶法 C: 浇筑法 D: 区熔法
- 当前，单晶硅的制备中85%左右都是采用（）。 A: 还原法 B: 氧化法 C: 悬浮区熔法 D: 直拉法
- 石墨烯的制备方法包括以下哪些？ A: 机械剥离法 B: 外延生长法 C: 氧化还原法 D: 化学气相沉积法
- 目前生长半导体体单晶最常见的方法是 A: 直拉法 B: CVD法 C: 布里兹曼法 D: 液相外延法
- 硅提纯及制备工艺流程正确的是 A: 石英砂-西门子法多晶硅-金属硅-直拉单晶硅 B: 金属硅-石英砂-西门子法多晶硅-直拉单晶硅 C: 石英砂-金属硅-西门子法多晶硅-直拉单晶硅 D: 西门子法多晶硅-石英砂-金属硅-直拉单晶硅