有限表面源扩散与离子注入的杂质分布都满足高斯函数，两种掺杂工艺杂质最高浓度位置都在硅片表面。
举一反三
- 有限表面源扩散的杂质分布服从（）分布。
- 杂质在硅中扩散主要采用两种方式：恒定表面源扩散和限定表面源扩散，下面对其叙述正确的有 A: 恒定表面源扩散指将硅片处于恒定浓度的杂质氛围中，杂质扩散到硅表面很薄的表层。 B: 恒定表面源扩散特点：可控制表面浓度和扩散探度，但不能任意控制杂质总量，因而难以制作出高表面浓度的浅结 C: 限定表面源扩散指在扩散过程中硅片外部无杂质的环境氛围下，杂质源限定于扩散前淀积在硅片表面极薄层内的杂质总量Q，扩散过程中Q为常量，依靠这些有限的杂质向硅片内进行的扩散。 D: 限定表面源扩散特点：控制杂质总量和扩散深度，但不能任意控制表面浓度，难以制作出低表面浓度的深结
- 离子注入有下面哪种特点： A: 掺入杂质的浓度可高于该杂质在硅中的固溶度 B: 掺杂可控性好于扩散 C: 工艺方法简单、成本低 D: 与扩散相比离子注入杂质分布横向效应小
- 恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为什么分布？（） A: 高斯函数 B: 余误差函数 C: 指数函数 D: 线性函数
- 有限源扩散杂质分布符合 A: 高斯函数 B: 余误差函数 C: 抛物线函数 D: 指数函数