杂质在硅中扩散主要采用两种方式：恒定表面源扩散和限定表面源扩散，下面对其叙述正确的有
A: 恒定表面源扩散指将硅片处于恒定浓度的杂质氛围中，杂质扩散到硅表面很薄的表层。
B: 恒定表面源扩散特点：可控制表面浓度和扩散探度，但不能任意控制杂质总量，因而难以制作出高表面浓度的浅结
C: 限定表面源扩散指在扩散过程中硅片外部无杂质的环境氛围下，杂质源限定于扩散前淀积在硅片表面极薄层内的杂质总量Q，扩散过程中Q为常量，依靠这些有限的杂质向硅片内进行的扩散。
D: 限定表面源扩散特点：控制杂质总量和扩散深度，但不能任意控制表面浓度，难以制作出低表面浓度的深结
A: 恒定表面源扩散指将硅片处于恒定浓度的杂质氛围中，杂质扩散到硅表面很薄的表层。
B: 恒定表面源扩散特点：可控制表面浓度和扩散探度，但不能任意控制杂质总量，因而难以制作出高表面浓度的浅结
C: 限定表面源扩散指在扩散过程中硅片外部无杂质的环境氛围下，杂质源限定于扩散前淀积在硅片表面极薄层内的杂质总量Q，扩散过程中Q为常量，依靠这些有限的杂质向硅片内进行的扩散。
D: 限定表面源扩散特点：控制杂质总量和扩散深度，但不能任意控制表面浓度，难以制作出低表面浓度的深结
举一反三
- 遵循在扩散过程中外界始终提供杂质源，硅片表面浓度恒定规律的扩散方法称之为（）。 A: 有限源表面扩散 B: 两步扩散法（包括预扩散和住扩散） C: 恒定源表面扩散 D: 自由式扩散
- 恒定源扩散在整个扩散的过程中杂质溶度始终保持不变;限定源扩散在整个扩散过程中单位面积杂质总量为常量。(<br/>)
- 有限表面源扩散与离子注入的杂质分布都满足高斯函数，两种掺杂工艺杂质最高浓度位置都在硅片表面。
- 如果扩散过程中始终保持表面杂质浓度不变(无限源扩散),那么形成的杂质分布是()分布;如果扩散过程中保持杂质的总量不变(限定源扩散),则形成的杂质分布是()分布
- 杂质以恒定的表面杂质浓度源源不断的通入,该扩散过程称为: A: 恒定源扩散 B: 预淀积 C: 有限源扩散 D: 再分布