离子注入有下面哪种特点：
A: 掺入杂质的浓度可高于该杂质在硅中的固溶度
B: 掺杂可控性好于扩散
C: 工艺方法简单、成本低
D: 与扩散相比离子注入杂质分布横向效应小
A: 掺入杂质的浓度可高于该杂质在硅中的固溶度
B: 掺杂可控性好于扩散
C: 工艺方法简单、成本低
D: 与扩散相比离子注入杂质分布横向效应小
举一反三
- 离子注入与扩散相比，哪种工艺造成的杂质的横向扩散更小。 A: 离子注入 B: 扩散 C: 不确定
- 以下关于离子注入优点的选项中，（）的说话是错误的。 A: 离子注入能够重复控制杂质的浓度和深度，因而在几乎所有应用中都优于扩散。 B: 横向扩散现象很小 C: 很好的杂质均匀性 D: 注入杂质的纯度高，属于低温工艺
- 有限表面源扩散与离子注入的杂质分布都满足高斯函数，两种掺杂工艺杂质最高浓度位置都在硅片表面。
- 使掺杂的离子加速到一定的能量，使之注入到晶体中，经过退火使杂质激活，从而达到掺杂的目的，这种工艺称为： 。 A: 扩散 B: 快速热退火 C: 刻蚀 D: 离子注入
- 离子注入方法和扩散方法均能精确控制杂质的浓度。