离子注入法掺杂工艺通常无法精确控制掺杂区域。
举一反三
- 离子注入法掺杂工艺通常无法精确控制掺杂浓度。
- 离子注入是唯一能够精确控制掺杂的手段。
- 以下不是离子注入特点的是 。 A: 精确控制掺杂剂量 B: 精确控制掺杂能量 C: C、不会产生缺陷甚至非晶化 D: 杂质掺杂分布非常均匀
- 根据离子注入工艺与扩散工艺在掺杂加工中表现出各有千秋的特点，你认为( )具有可以精确控制掺入杂质总量、需要随后热处理以控制杂质浓度分布/结深达到设计要求 A: 扩散工艺 B: 离子注入工艺 C: 外延工艺 D: 快速气相激光掺杂
- 关于离子注入掺杂，说法正确的有（） A: 离子注入对半导体晶格没有损伤 B: 离子注入利用电场来控制离子的注入深度 C: 离子注入利用磁场来筛选注入的离子 D: 将半导体晶片偏转一定的角度可以避免离子注入遇到的沟道效应