关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-10-27 根据离子注入工艺与扩散工艺在掺杂加工中表现出各有千秋的特点，你认为( )具有可以精确控制掺入杂质总量、需要随后热处理以控制杂质浓度分布/结深达到设计要求 A: 扩散工艺 B: 离子注入工艺 C: 外延工艺 D: 快速气相激光掺杂 根据离子注入工艺与扩散工艺在掺杂加工中表现出各有千秋的特点，你认为( )具有可以精确控制掺入杂质总量、需要随后热处理以控制杂质浓度分布/结深达到设计要求A: 扩散工艺B: 离子注入工艺C: 外延工艺D: 快速气相激光掺杂 答案： 查看 举一反三 离子注入法掺杂工艺通常无法精确控制掺杂浓度。 离子注入有下面哪种特点： A: 掺入杂质的浓度可高于该杂质在硅中的固溶度 B: 掺杂可控性好于扩散 C: 工艺方法简单、成本低 D: 与扩散相比离子注入杂质分布横向效应小 使掺杂的离子加速到一定的能量，使之注入到晶体中，经过退火使杂质激活，从而达到掺杂的目的，这种工艺称为： 。 A: 扩散 B: 快速热退火 C: 刻蚀 D: 离子注入 有限表面源扩散与离子注入的杂质分布都满足高斯函数，两种掺杂工艺杂质最高浓度位置都在硅片表面。 离子注入法掺杂工艺通常无法精确控制掺杂区域。
