⑤ 溅射镀膜有直流二极溅射，射频二极溅射，磁控溅射，IC制造中使用最多的是 A: 、直流二极溅射 B: 、射频二极溅射 C: 、磁控溅射
⑤ 溅射镀膜有直流二极溅射，射频二极溅射，磁控溅射，IC制造中使用最多的是 A: 、直流二极溅射 B: 、射频二极溅射 C: 、磁控溅射
溅射制备SiO2薄膜，通常采用 ______ 溅射方法。
溅射制备SiO2薄膜，通常采用 ______ 溅射方法。
<p>⑤ 溅射镀膜有直流二极溅射，射频二极溅射，磁控溅射，IC制造中使用最多的是</p>
<p>⑤ 溅射镀膜有直流二极溅射，射频二极溅射，磁控溅射，IC制造中使用最多的是</p>
根据引起气体放电的机理不同，可形成不同的溅射镀膜方法，主要有（）溅射、（）溅射、反应溅射、磁控溅射等方法。
根据引起气体放电的机理不同，可形成不同的溅射镀膜方法，主要有（）溅射、（）溅射、反应溅射、磁控溅射等方法。
溅射机理有 。
溅射机理有 。
既能够溅射金属又能够溅射绝缘介质的是方法是 A: 直流溅射 B: 射频溅射
既能够溅射金属又能够溅射绝缘介质的是方法是 A: 直流溅射 B: 射频溅射
直接溅射效率不高,放电过程只有0.3%~0.5%气体分子被电离。为在低气压下有较高溅射速率,可采用()溅射方法。 A: 加压 B: 磁控 C: 高温
直接溅射效率不高,放电过程只有0.3%~0.5%气体分子被电离。为在低气压下有较高溅射速率,可采用()溅射方法。 A: 加压 B: 磁控 C: 高温
下列溅射设备中可以制备绝缘体的是(<br/>)。 A: 直流溅射 B: 高频溅射 C: 磁控溅射 D: 反应溅射
下列溅射设备中可以制备绝缘体的是(<br/>)。 A: 直流溅射 B: 高频溅射 C: 磁控溅射 D: 反应溅射
溅射与蒸镀比较，溅射制备的薄膜质量（如粘附性、保形性等）更好。
溅射与蒸镀比较，溅射制备的薄膜质量（如粘附性、保形性等）更好。
以下方法中不是常见的溅射方法的是： 。 A: 磁控溅射 B: 直流溅射 C: 射频溅射 D: 刻蚀溅射
以下方法中不是常见的溅射方法的是： 。 A: 磁控溅射 B: 直流溅射 C: 射频溅射 D: 刻蚀溅射