在CMP工艺中，关于磨粒尺寸、浓度及硬度对抛光质量的影响的描述中正确的是（）。
A: 磨粒硬度增加，抛光速率增加，抛光效果就越好
B: 只要磨粒的浓度增加，则材料去除率也一直随之增加
C: 通常情况下，当磨粒尺寸增加，抛光速率增加，但磨粒尺寸过小则易凝聚成团，使硅片表面划痕增加
D: 当磨粒尺寸增加，抛光速率也随之增加，抛光质量也会随之提高
A: 磨粒硬度增加，抛光速率增加，抛光效果就越好
B: 只要磨粒的浓度增加，则材料去除率也一直随之增加
C: 通常情况下，当磨粒尺寸增加，抛光速率增加，但磨粒尺寸过小则易凝聚成团，使硅片表面划痕增加
D: 当磨粒尺寸增加，抛光速率也随之增加，抛光质量也会随之提高
举一反三
- CMP抛光质量的影响因素有（）。 A: 抛光压力 B: 相对速度 C: 抛光区域温度 D: 抛光液粘度、PH值 E: 磨粒尺寸、浓度及硬度
- 中国大学MOOC: 在CMP工艺中，关于磨粒尺寸、浓度及硬度对抛光质量的影响的描述中正确的是（）。
- 影响CMP质量的因素包括: A: 抛光压力 B: 转速 C: 抛光区域温度 D: 抛光液的粘度、PH值、流速和磨粒的尺寸、浓度、硬度等
- 影响磨粒磨损的主要因素是______。Ⅰ.润滑；Ⅱ.磨粒尺寸；Ⅲ.运动副材料硬度；Ⅳ.磨粒硬度；Ⅴ.工作条件。 A: Ⅱ＋Ⅲ＋Ⅳ B: Ⅰ＋Ⅱ＋Ⅲ＋Ⅳ C: Ⅱ＋Ⅲ＋Ⅳ＋Ⅴ D: Ⅰ＋Ⅲ＋Ⅳ＋Ⅴ
- 磨削过程中，砂轮上更钝的、隐附在其它磨粒下面的磨粒起______作用。 A: 切削 B: 刻划 C: 抛光