影响CMP质量的因素包括:
A: 抛光压力
B: 转速
C: 抛光区域温度
D: 抛光液的粘度、PH值、流速和磨粒的尺寸、浓度、硬度等
A: 抛光压力
B: 转速
C: 抛光区域温度
D: 抛光液的粘度、PH值、流速和磨粒的尺寸、浓度、硬度等
举一反三
- CMP抛光质量的影响因素有（）。 A: 抛光压力 B: 相对速度 C: 抛光区域温度 D: 抛光液粘度、PH值 E: 磨粒尺寸、浓度及硬度
- 影响 CMP质量的因素有()。 A: 抛光压力 B: 抛光液pH值 C: 转速 D: 抛光区域温度值
- 以下哪些是影响CMP质量的主要因素 A: 抛光液的粘度、PH值 B: 抛光区域的温度 C: 抛光的压力 D: 抛光垫的表面粗糙度
- 以下哪些是影响CMP质量的主要因素 A: 抛光压力 B: 抛光液黏度 C: 抛光液PH值 D: 抛光液魔力尺寸、浓度及硬度
- 在CMP工艺中，关于磨粒尺寸、浓度及硬度对抛光质量的影响的描述中正确的是（）。 A: 磨粒硬度增加，抛光速率增加，抛光效果就越好 B: 只要磨粒的浓度增加，则材料去除率也一直随之增加 C: 通常情况下，当磨粒尺寸增加，抛光速率增加，但磨粒尺寸过小则易凝聚成团，使硅片表面划痕增加 D: 当磨粒尺寸增加，抛光速率也随之增加，抛光质量也会随之提高