• 2022-10-27
    中国大学MOOC: 在CMP工艺中,关于磨粒尺寸、浓度及硬度对抛光质量的影响的描述中正确的是()。
  • 通常情况下,当磨粒尺寸增加,抛光速率增加,但磨粒尺寸过小则易凝聚成团,使硅片表面划痕增加

    内容

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      中国大学MOOC: CMP抛光质量的影响因素有()。

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      中国大学MOOC: CMP工艺中抛光压力越大,抛光速率越快,抛光效果就越好。

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      影响磨粒磨损的主要因素是______。Ⅰ.润滑;Ⅱ.磨粒尺寸;Ⅲ.运动副材料硬度;Ⅳ.磨粒硬度;Ⅴ.工作条件。 A: Ⅱ+Ⅲ+Ⅳ B: Ⅰ+Ⅱ+Ⅲ+Ⅳ C: Ⅱ+Ⅲ+Ⅳ+Ⅴ D: Ⅰ+Ⅲ+Ⅳ+Ⅴ

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      中国大学MOOC: CMP中的磨除速率是指CMP抛光时去除表面材料的速率,一般突出部分的磨除速率更低。

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      中国大学MOOC: 砂轮的硬度取决于磨粒的硬度。