典型替位式杂质原子的电离能大小在eV量级。
举一反三
- B原子掺入Si晶体中，形成替位式杂质，其电离后在Si中留下可动的负电中心。
- 1、硼原子在硅中属于哪种杂质 A: 替位式杂质 B: 间隙式杂质 C: 层错 D: 位错
- 替位式扩散就是替位杂质和邻近晶格位置上的原子互换。
- 已知He原子的第一电离能 [img=66x22]1803a58137bf5b7.png[/img], 则其第二电离能为：[img=256x89]1803a581425611a.png[/img] A: 54.4 eV B: -54.4eV C: 13.6 eV D: -13.6 eV
- 杂质原子进入半导体硅以后，可以哪些种方式存在（） A: 间隙式杂质 B: 替位式杂质 C: 过渡元素杂质 D: 稀土杂质