中国大学MOOC: 关于离子注入区形成非晶层的临界剂量，下面哪几种说法正确：
举一反三
- 关于离子注入区形成非晶层的临界剂量，下面哪几种说法正确： A: 注入离子越轻，临界剂量越小； B: 靶温升高，临界剂量上升； C: 注入离子能量越高，临界剂量越低； D: 注入离子剂量率增大，临界剂量降低。
- 关于离子注入区形成非晶层的临界剂量,下面哪几种说法正确: A: 靶温升高，临界剂量上升； B: 注入离子剂量率增大，临界剂量降低。 C: 注入离子能量越高，临界剂量越低； D: 注入离子越轻，临界剂量越小；
- 关于离子注入区形成非晶层的临界剂量,下面哪几种说法正确: A: 靶温升高，临界剂量上升； B: 注入离子剂量率增大，临界剂量降低。 C: 注入离子能量越高，临界剂量越低； D: 注入离子越轻，临界剂量越小；
- 关于离子注入,说法错误的是() A: 离子注入可以制备超浅结 B: 增大注入剂量,有可能形成非晶层 C: 原子越重,核阻止越大 D: 高能离子,以核阻止为主
- 离子注入晶格出现非晶层的剂量称为：______ 。