中国大学MOOC: 关于离子注入区形成非晶层的临界剂量，下面哪几种说法正确：
注入离子剂量率增大，临界剂量降低。 靶温升高，临界剂量上升； 注入离子能量越高，临界剂量越低；
举一反三
- 关于离子注入区形成非晶层的临界剂量，下面哪几种说法正确： A: 注入离子越轻，临界剂量越小； B: 靶温升高，临界剂量上升； C: 注入离子能量越高，临界剂量越低； D: 注入离子剂量率增大，临界剂量降低。
- 关于离子注入区形成非晶层的临界剂量,下面哪几种说法正确: A: 靶温升高，临界剂量上升； B: 注入离子剂量率增大，临界剂量降低。 C: 注入离子能量越高，临界剂量越低； D: 注入离子越轻，临界剂量越小；
- 关于离子注入区形成非晶层的临界剂量,下面哪几种说法正确: A: 靶温升高，临界剂量上升； B: 注入离子剂量率增大，临界剂量降低。 C: 注入离子能量越高，临界剂量越低； D: 注入离子越轻，临界剂量越小；
- 关于离子注入,说法错误的是() A: 离子注入可以制备超浅结 B: 增大注入剂量,有可能形成非晶层 C: 原子越重,核阻止越大 D: 高能离子,以核阻止为主
- 离子注入晶格出现非晶层的剂量称为：______ 。
内容
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对于非晶靶，离子注入的射程分布取决于（）。 A: 入射离子的能量 B: 入射离子的质量 C: 入射离子的原子序数 D: 靶原子的质量、原子序数、原子密度 E: 注入离子的总剂量
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中国大学MOOC: 离子注入的结深主要有注入的能量决定，杂质浓度分布是由剂量决定。
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关于离子注入掺杂，说法正确的有（） A: 离子注入对半导体晶格没有损伤 B: 离子注入利用电场来控制离子的注入深度 C: 离子注入利用磁场来筛选注入的离子 D: 将半导体晶片偏转一定的角度可以避免离子注入遇到的沟道效应
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中国大学MOOC: 关于临界资源和临界区的说法错误的是 。
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离子注入时，避免沟道效应的措施有。 A: 使离子的入射方向偏离沟道方向 7 一 10 度 B: 在掺杂注入前先用高剂量的 Si 、 Ge、 F 或 Ar 离子注入来使硅表面预非晶化 C: 在掺杂注入前硅表面生长一层薄 Si02 层 D: 降低靶的温度。