现代集成电路制造工艺中，主流掺杂技术为（）
A: 扩散
B: 化学机械抛光
C: 刻蚀
D: 离子注入
A: 扩散
B: 化学机械抛光
C: 刻蚀
D: 离子注入
举一反三
- 在较先进的集成电路制造工艺中，通常采（）来实现掺杂。 A: 刻蚀 B: 离子注入 C: 光刻 D: 金属化
- 使掺杂的离子加速到一定的能量，使之注入到晶体中，经过退火使杂质激活，从而达到掺杂的目的，这种工艺称为： 。 A: 扩散 B: 快速热退火 C: 刻蚀 D: 离子注入
- 在晶圆制造过程中，属于添加工艺的是？ A: 掺杂工艺 B: 沉积工艺 C: 刻蚀工艺 D: 化学机械研磨工艺
- 集成电路制造过程中的工艺步骤包括（ ） A: 薄膜沉积 B: 薄膜刻蚀 C: 光刻 D: 离子注入
- 使掺杂的离子加速到一定的能量,使之注入到晶体中,经过退火使杂质激活,从而达到掺杂的目的,这种工艺称为: A: 蒸发 B: 溅射 C: 刻蚀 D: 离子注入