在较先进的集成电路制造工艺中，通常采（）来实现掺杂。
A: 刻蚀
B: 离子注入
C: 光刻
D: 金属化
A: 刻蚀
B: 离子注入
C: 光刻
D: 金属化
B
举一反三
内容
- 0
集成电路制造工艺需要用到光刻、刻蚀、掺杂、氧化等工艺，是一个非常复杂经过多道工序的过程。 A: 正确 B: 错误
- 1
刻蚀工艺可以和以下哪个工艺结合来实现图形的转移? ( ) A: 氧化 B: 光刻 C: 抛光 D: 离子注入
- 2
使掺杂的离子加速到一定的能量,使之注入到晶体中,经过退火使杂质激活,从而达到掺杂的目的,这种工艺称为: A: 蒸发 B: 溅射 C: 刻蚀 D: 离子注入
- 3
在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。
- 4
在集成电路中，将掩膜版上的图形位置及几何尺寸转移到光刻胶上的工艺是（）。 A: 薄膜制备 B: 光刻 C: 刻蚀 D: 金属化