集成电路制造过程中的工艺步骤包括（ ）
A: 薄膜沉积
B: 薄膜刻蚀
C: 光刻
D: 离子注入
A: 薄膜沉积
B: 薄膜刻蚀
C: 光刻
D: 离子注入
举一反三
- 在较先进的集成电路制造工艺中，通常采（）来实现掺杂。 A: 刻蚀 B: 离子注入 C: 光刻 D: 金属化
- 在集成电路制造过程中，刻蚀通常是在（）之后进行的，刻蚀与光刻一起实现了将掩膜版上的图形转移到薄膜上。 A: 显影 B: 光刻 C: 涂胶 D: 抛光
- 中国大学MOOC: 在集成电路制造过程中，刻蚀通常是在（）之后进行的，刻蚀与光刻一起实现了将掩膜版上的图形转移到薄膜上。
- 芯片制造过程中在绝缘介质薄膜上淀积金属薄膜以及随后的图形的刻印以便形成器件互连和多层布线的过程,该工艺称为: A: 光刻 B: 刻蚀 C: 溅射 D: 金属化
- 处于IC工艺核心位置的工序是()。 A: 刻蚀 B: 光刻 C: 薄膜