刻蚀是用化学方法或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程，其基本目标是（）。
A: 有选择地形成被刻蚀图形的侧壁形状
B: 在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形
C: 变成刻蚀介质以形成一个凹槽
D: 在大于3微米的情况下，混合发生化学作用与物理作用
A: 有选择地形成被刻蚀图形的侧壁形状
B: 在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形
C: 变成刻蚀介质以形成一个凹槽
D: 在大于3微米的情况下，混合发生化学作用与物理作用
举一反三
- 刻蚀是用化学方法或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程，其基本目标是： 。 A: A. 有选择地形成被刻蚀图形的侧壁形状 B: B. 在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形 C: C. 变成刻蚀介质以形成一个凹槽 D: D. 在大于3微米的情况下，混合发生化学作用与物理作用
- 题3-1-7 刻蚀是用化学方法或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程，其基本目标是
- 中国大学MOOC: 刻蚀是用化学方法或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程，其基本目是： 。
- 中国大学MOOC: 题3-1-7 刻蚀是用化学方法或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程，其基本目标是： 。
- 刻蚀是用（）或（）有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程，其基本目标是（）。